Clamoroso Samsung, già in cantiere il “super-chip” per il Galaxy S9!
Non si ferma Samsung: mentre il Galaxy S8 ancora non è ufficialmente in commercio in diversi paesi, è già tempo di pensare al 2018 e al futuro Galaxy S9. Nelle scorse settimane abbiamo avuto modo di mettere in risalto i (tanti) punti di forza dell’S8: il mix tra design rivoluzionario e potenza sarà di certo esplosivo.
Ed è proprio con le prestazioni che i coreani hanno già gettato le basi del futuro top di gamma. Lo Snapdragon 835 a 10 nanometri progettato da Qualcomm è già un must del settore, con diversi altri produttori che puntano a montarlo nei loro prossimi device (non c’è riuscita, ad esempio, LG col G6). I motivi sono presto detti: rispetto al suo predecessore a 14 nanometri, l’835 garantisce il 27% in quanto a performance e circa il 30% se si resta nel campo del dispendio energetico. Tanta roba.
Ecco però arrivare, dalla Corea del Sud, rumors da fonti non ufficiali che parlano di un nuovo accordo tra Samsung e Qualcomm per la progettazione dello Snapdragon 845. Non dovrebbe trattarsi di un processore a 7 nanometri come stanno riportando diversi media, bensì di una seconda generazione di chip a 10 nm che garantirebbe un “improve” del 10% sulle prestazioni e del 15% sul risparmio energetico. Margini decisamente alti e miglioramenti che si farebbero sentire soprattutto con videochiamate, registrazioni video, realtà virtuale ed aumentata.
Samsung (con TSMC) dovrebbe cominciare la produzione a cavallo tra 2017 e 2018, una volta terminata la fase di progettazione da parte di Qualcomm; in tempo, quindi, per un’eventuale presentazione del Galaxy S9 con le stesse tempistiche di questo anno.
