Samsung avvia la produzione di massa delle memorie eUFS 3.0 (fino a 1 TB di capacità)
Così come annunciato ormai diverse settimane fa, Samsung Electronics ha avviato la produzione di massa delle nuove memorie eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) che verranno utilizzate dai futuri top di gamma annunciati dal colosso coreano.
I primi modelli ad essere prodotti sono quelli da 128 e 512 GB, mentre durante la seconda parte di questo 2019 comincerà la produzione di quelli da 256 GB e 1 TB. Sono diversi i miglioramenti in fase prestazionale rispetto alla pur ottima precedente generazione, la eUFS 2.1. Tanto per cominciare, si parla di una velocità di trasferimento che riuscirà a raggiungere i 2.100 MB/s in lettura e i 410 MB/s in scrittura: siamo, insomma, su valori doppi rispetto alla 2.1 e addirittura 20 volte maggiori rispetto ad una comune micro SD.
Prestazioni, quelle delle nuove memoria eUFS 3.0 che in altri termini saranno pressoché simili a quelle di un Pc o di un portatile top di gamma, arrivando anche a quadruplicare quelle di un SSD SATA 3.
Il tutto si tradurrà in una gestione ottimale dei contenuti multimediali, permettendo di registrare ad esempio video con definizioni altissime senza rinunciare ad un framerate mai raggiunto prima. Samsung ha anche fornito una tabella di confronto (la trovate in alto) con tutte le precedenti generazioni delle sue memorie.
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